Transistor IRFB4229

Transistor IRFB4229. Transistor. C (in): 4560pF. C (out): 390pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 190 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Amplificateur audio de classe D 300W-500W (demi-pont). Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 33A. Id (T=25°C): 46A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 30 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.