Transistor IRFBE30

Transistor IRFBE30. Transistor. C (in): 1300pF. C (out): 310pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 480 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Id(imp): 16A. Id (T=100°C): 2.6A. Id (T=25°C): 4.1A. Idss (maxi): 500uA. Idss (min): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 82 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 20:25.