Transistor IRFP4227

Transistor IRFP4227. Transistor. C (in): 4600pF. C (out): 460pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 25. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 100 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. Id (T=100°C): 46A. Id (T=25°C): 65A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Température: +175°C. Dissipation de puissance maxi: 330W. Résistance passante Rds On: 0.021 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 21 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension Vds(max): 200V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.