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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V - IRFR420

Transistor canal N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V - IRFR420
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1 - 4 1.11€ 1.34€
5 - 9 1.06€ 1.28€
10 - 24 1.02€ 1.23€
25 - 49 1.00€ 1.21€
50 - 54 0.98€ 1.19€
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Transistor canal N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V - IRFR420. Transistor canal N, 1.5A, 2.4A, 0.025mA, 250uA, 3 Ohms, D-PAK TO-252AA, 500V. Id (T=100°C): 1.5A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss: 0.025mA. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Tension Vds(max): 500V. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: commutation rapide. Protection G-S: non. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 09/06/2025, 06:25.

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Transistor canal N, 1.4A, 2.4A, 250uA, 3 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 500V. Id (T=100°C): 1.4A. Id (T=25°C): 2.4A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251AA ( I-PAK ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 360pF. C (out): 92pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 8A. Idss (min): 25uA. Dissipation de puissance maxi: 42W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 8 ns. Td(on): 33 ns. Technologie: transistor MOSFET de puissance de troisième génération. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V
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