Transistor IXFH26N60Q

Transistor IXFH26N60Q. Transistor. C (in): 4700pF. C (out): 580pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 250 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 104A. Id (T=25°C): 26A. Idss (maxi): 1mA. Idss (min): 25uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 360W. Résistance passante Rds On: 0.25 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 80 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: HiPerFet Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AD. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 600V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.5V. Spec info: dv/dt 10V/ns. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.