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Transistor KSA928A-Y

Transistor KSA928A-Y
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Transistor KSA928A-Y. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 120 MHz. Fonction: 9mm. Courant de collecteur: 2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: Samsung>> STB1277. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 08:25.

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Quantité en stock : 6
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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: A...
STB1277Y
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: Amplificateur de moyenne puissance. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) STD1862
STB1277Y
Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 170 MHz. Fonction: Amplificateur de moyenne puissance. Gain hFE maxi: 390. Gain hFE mini: 82. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 3A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) STD1862
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