Transistor KTA1266Y

Transistor KTA1266Y. Transistor. Résistance B: 10. Résistance BE: 10. C (out): 3.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 80 MHz. Fonction: SWITCHING APPLICATION. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.15A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: PNP. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 06:25.