Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: CHASS. Remarque: X089 version. Remarque: 24LC08B+PROG

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: EEPROM Serial - I2C 128K-bit 16K x 8. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: DUAL MODE. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Mémoire EEPROM: 32Kx8 ( 256K bit ). Fonction: mémoire EEPROM CMOS à bus série. basse consommation. Nombre de connexions: 8. Signal d'horloge: 400kHz. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Fonction: mémoire EEPROM CMOS à bus série. basse consommation. Nombre de connexions: 8. Signal d'horloge: 400kHz. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Fonction: mémoire EEPROM CMOS à bus série. basse consommation. Equivalences: 24LC32AT-I/SN. Nombre de connexions: 8. Signal d'horloge: 400kHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5V...5.5V

Circuit intégré mémoire. Mémoire EEPROM: 64Kx8 ( 512K bit ). Fonction: mémoire EEPROM CMOS à bus série. basse consommation. Nombre de connexions: 8. Signal d'horloge: 400Khz Vcc >2.5V <5.5V. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Mémoire EEPROM: 64Kx8 ( 512K bit ). Fonction: mémoire EEPROM CMOS à bus série. basse consommation. Nombre de connexions: 8. Signal d'horloge: 400kHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 3.9x4.9mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: sérigraphie/code CMS 4L64T. Marquage sur le boîtier: 4L64T. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: MSOP. Boîtier (selon fiche technique): MSOP-8 ( 3x3mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 3.9x4.9mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Remarque: sérigraphie/code CMS 4LB. Marquage sur le boîtier: 4LB. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSSOP-8 ( 3x4.4mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 3000. Remarque: sérigraphie/code CMS 7GNN. Marquage sur le boîtier: 7GNN. Nombre de connexions: 5. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23-5. Boîtier (selon fiche technique): SOT-23-5. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: EPROM - OTP. Taille mémoire: 128kx8. Interface: Parallèle. Temps d'accès: 70ns. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: PLCC32

Circuit intégré mémoire. Remarque: dernières pièces restantes de la production arrêtée (obsolète). Remarque: doit être effacée avant une nouvelle programmation. Spec info: origine de plusieurs fabricants, par ex. Intel, NEC

Circuit intégré mémoire. Remarque: Prog. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: UV-DIP. Boîtier (selon fiche technique): FDIP-32W

Circuit intégré mémoire. Fonction: CMOS, OTP EPROM. Remarque: 100uA Max Standby. Remarque: 25mA Max Active at 5MHz. Equivalences: AT27C010-70JU-T. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Tension d'alimentation (op): 5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: CMOS. Nombre de connexions: 32. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-32

Circuit intégré mémoire. Remarque: CMOS OTP. Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32

Circuit intégré mémoire. Fonction: OTP-EPROM. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-28, 28P6 (RM-15.24mm). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 4.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Fonction: OTP-EPROM. Remarque: 256 Kbit (32Kb × 8). Nombre de connexions: 32. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: PLCC. Boîtier (selon fiche technique): PLCC-32. Température de fonctionnement: 0...+70°C. VCC: 5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: UV-EPROM. Nombre de connexions: 28. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: UV-DIP. Boîtier (selon fiche technique): CERDIP-28