Mémoires divers

Circuit intégré mémoire. Remarque: 1.7V...5.5V. Remarque: max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Remarque: ESD Protection >4.000V. Remarque: max. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: max. Remarque: 2.5V...5.5V. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V

Circuit intégré mémoire. Remarque: max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6V

ROHS: Oui. Boîtier: DIP8. Montage/installation: THT. Tension de fonctionnement: 2.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: I2C. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Organisation de la mémoire: 4x256kx8bit. Fréquence d'horloge: 400kHz. Capacité mémoire: 8kbit. Temps d'accès: 5ms. Nombre de cycles: 1M, 1000000

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8

Circuit intégré mémoire. Remarque: CHASS. Remarque: X089 version. Remarque: 24LC08B+PROG

ROHS: Oui. Boîtier: DIP8. Montage/installation: THT. Tension de fonctionnement: 2.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: I2C. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Organisation de la mémoire: 128kx8bit. Fréquence d'horloge: 400kHz. Capacité mémoire: 1Mbit. Temps d'accès: 3ms. Nombre de cycles: 1M, 1000000

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: max. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Fonction: EEPROM Serial - I2C 128K-bit 16K x 8. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 5V

ROHS: Oui. Boîtier: SO8

Circuit intégré mémoire. Remarque: 2.5V...5.5V. Remarque: DUAL MODE. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. RoHS: oui. Mémoire EEPROM: 32Kx8 ( 256K bit ). Fonction: EEPROM série CMOS basse consommation. Equivalences: 24LC256T-I/SN. Nombre de connexions: 8. Signal d'horloge: 400kHz. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

ROHS: Oui. Boîtier: DIP8. Montage/installation: THT. Tension de fonctionnement: 2.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: I2C. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Organisation de la mémoire: 4kx8bit. Fréquence d'horloge: 400kHz. Capacité mémoire: 32kbit. Temps d'accès: 5ms. Nombre de cycles: 1M, 1000000

Circuit intégré mémoire. Mémoire EEPROM: 64Kx8 ( 512K bit ). Fonction: mémoire EEPROM CMOS à bus série. basse consommation. Nombre de connexions: 8. Signal d'horloge: 400kHz. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 3.9x4.9mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Circuit intégré mémoire. Remarque: sérigraphie/code CMS 4L64T. Marquage sur le boîtier: 4L64T. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: MSOP. Boîtier (selon fiche technique): MSOP-8 ( 3x3mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8 ( 3.9x4.9mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 2500. Remarque: sérigraphie/code CMS 4LB. Marquage sur le boîtier: 4LB. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Spec info: max. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: TSSOP. Boîtier (selon fiche technique): TSSOP-8 ( 3x4.4mm ). Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V. Tension d'alimentation (op): 6.5V

Circuit intégré mémoire. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Circuit intégré mémoire. Mémoire EEPROM: 32Kx8 ( 256K bit ). Fonction: mémoire EEPROM CMOS à bus série. basse consommation. Nombre de connexions: 8. Signal d'horloge: 10 MHz. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. Température de fonctionnement: -40...+85°C. VCC: 2.5...5.5V

Boîtier: SO8. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Organisation de la mémoire: 32kx8bit. Fréquence d'horloge: 10MHz. Capacité mémoire: 256kbit. Temps d'accès: 5ms. Nombre de cycles: 1M. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM

ROHS: nem. Boîtier: DIP8. Montage/installation: THT. Tension de fonctionnement: 2.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Organisation de la mémoire: 4kx8bit. Fréquence d'horloge: 10MHz. Capacité mémoire: 32kbit. Temps d'accès: 5ms. Nombre de cycles: 1M, 1000000

ROHS: Oui. Boîtier: SO8. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Organisation de la mémoire: 4kx8bit. Fréquence d'horloge: 10MHz. Capacité mémoire: 32kbit. Temps d'accès: 5ms. Nombre de cycles: 1M, 1000000

ROHS: Oui. Boîtier: SO8. Montage/installation: SMD. Tension de fonctionnement: 2.5...5.5V. Température de fonctionnement: -40...85°C. Type de circuit intégré: Mémoire. Interface: SPI. Type de mémoire: Taille mémoire EEPROM. Organisation de la mémoire: 8kx8bit. Fréquence d'horloge: 10MHz. Capacité mémoire: 64kbit. Temps d'accès: 5ms. Nombre de cycles: 1M, 1000000

Circuit intégré mémoire. Type de mémoire: EPROM - OTP. Interface: Parallèle. Temps d'accès: 70ns. Température de fonctionnement: -40...+85°C. Type de montage: SMD. Boîtier: PLCC32. Série: n/a. Fréquence d'horloge: n/a. Temps de cycle d'écriture: n/a. Information: n/a. MSL: n/a