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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V - MJE15030G

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V - MJE15030G. Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220AB, 150V, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Tension collecteur-émetteur VCEO: 150V. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031G. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Type de transistor: transistor de puissance NPN. Polarité: NPN. Puissance: 50W. Fréquence maxi: 30MHz. Produit d'origine constructeur ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 22/07/2025, 21:25.

Documentation technique

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Transistor NPN, 8A, TO-220, TO-220, 150V. Courant de collecteur: 8A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: pour amplificateur audio. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE15031. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V
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