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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor MJE3055T

Transistor MJE3055T
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Transistor MJE3055T. Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: MJE3055T. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 2 MHz. Dissipation maximale Ptot [W]: 75W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance NPN. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial-Base'. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 70V. Tension de saturation VCE(sat): 1.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE2955T. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.

Documentation technique

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