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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor MJE350-ONS

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Transistor MJE350-ONS. Transistor. C (in): 7pF. C (out): 110pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 30. Courant de collecteur: 0.5A. Equivalences: KSE350. Dissipation de puissance maxi: 20.8W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-225. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vebo: 3V. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJE340. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.

Documentation technique

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