Transistor MJW1302AG

Transistor MJW1302AG. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 30 MHz. Fonction: Transistor de puissance bipolaire complémentaire. Date de production: 201446. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 15A. Ic(puls): 25A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 200W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 230V. Vebo: 5V. Technologie: transistor bipolaire de puissance. Spec info: transistor complémentaire (paire) MJW3281A. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.