Optocoupleurs

Optocoupleur. CTR: >1000 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Puissance de la diode: 70mW. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Courant de collecteur: 150mA. Sortie: sortie transistor darlington. Nombre de connexions: 6. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 20us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Tr: 100us. Température de fonctionnement: -25...+100°C. Vcbo: 300V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 300V. Vrms: 5 kV

Optocoupleur. CTR: 130...260 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Puissance de la diode: 70mW. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Courant de collecteur: 50mA. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 3us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Tr: 4us. Température de fonctionnement: -30...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5 kV

Optocoupleur. CTR: 200...400 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Puissance de la diode: 70mW. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Courant de collecteur: 50mA. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Spec info: Vceo 80V. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 3us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Tr: 4us. Température de fonctionnement: -30...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V

Optocoupleur. CTR: 80...160 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Puissance de la diode: 70mW. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Courant de collecteur: 30mA. Remarque: Vceo 35V. Marquage sur le boîtier: PC817A. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 3us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Tr: 4us. Température de fonctionnement: -30...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. VECO: 6V. VRRM: 5000V

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Taux: 50 %. Tension de sortie maxi (V): 80V. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 18us. Délai de coupure tf [µsec.]: 18us. Plage de température de fonctionnement min (°C): -30°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Optocoupleur. RoHS: non. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type d'optocoupleur: double optocoupleur, entrée AC. Nombre de circuits: 2. Type d'entrée: LED infrarouge antiparallèle. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Taux: 20 %. Tension de sortie maxi (V): 80V. Courant nominal d'entrée (mA): 1mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 18us. Délai de coupure tf [µsec.]: 18us. Plage de température de fonctionnement min (°C): -30°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type d'optocoupleur: double optocoupleur, entrée AC. Nombre de circuits: 2. Type d'entrée: LED infrarouge antiparallèle. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Taux: 20 %. Tension de sortie maxi (V): 80V. Courant nominal d'entrée (mA): 1mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 18us. Délai de coupure tf [µsec.]: 18us. Plage de température de fonctionnement min (°C): -30°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Optocoupleur. CTR: 50...100 %. Remarque: Vceo 35V. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 8. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP-8. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type d'optocoupleur: Optocoupleur standard. double. Nombre de circuits: 2. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Taux: 50..600 %. Tension de sortie maxi (V): 35V. Courant nominal d'entrée (mA): 20mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 18us. Délai de coupure tf [µsec.]: 18us. Plage de température de fonctionnement min (°C): -30°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Type d'optocoupleur: Optocoupleur standard. double. Nombre de circuits: 2. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Taux: 50..400 %. Tension de sortie maxi (V): 35V. Courant nominal d'entrée (mA): 20mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 15us. Délai de coupure tf [µsec.]: 15us. Plage de température de fonctionnement min (°C): -25°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Optocoupleur. CTR: 200...1000 %. Diode IF: 80mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Puissance de la diode: 150mW. Tension de seuil de la diode: 1.17V. Courant de collecteur: 200mA. Sortie: sortie transistor darlington. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Dissipation de puissance maxi: 200mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 100us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Tr: 100us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Vrms: 5 kV

Optocoupleur. CTR: 200...1000 %. Diode IF: 80mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Puissance de la diode: 120W. Tension de seuil de la diode: 1.17V. Courant de collecteur: 160mA. Sortie: sortie transistor darlington. Nombre de connexions: 16. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Dissipation de puissance maxi: 160mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 100us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-16. Tr: 100us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Vrms: 5 kV

Optocoupleur. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. CTR: 130...260 %. Diode IF: 30mA. Courant IF Diode (crête): 500mA. Puissance de la diode: 150mW. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Courant de collecteur: 30mA. Marquage sur le boîtier: PS2561A-1. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 7us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Tr: 5us. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

Optocoupleur. CTR: 200...400 %. Diode IF: 30mA. Courant IF Diode (crête): 500mA. Puissance de la diode: 150mW. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Courant de collecteur: 30mA. Marquage sur le boîtier: PS2561A-1. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 7.62mm. Dimensions: 6.5x4.6mm. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 7us. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SMD-4. Tr: 5us. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Vrms: 5 kV

Optocoupleur. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 100dB. CTR: 130...260 %. Diode IF: 30mA. Courant IF Diode (crête): 500mA. Puissance de la diode: 150mW. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Courant de collecteur: 30mA. Marquage sur le boîtier: PS2561AL1-1. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 10.16mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 7us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Tr: 5us. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. VECO: 5V. Vrms: 5 kV

Optocoupleur. CTR: 80...600 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Puissance de la diode: 60mW. Tension de seuil de la diode: 1.1V. Courant de collecteur: 50mA. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 7mm. Dissipation de puissance maxi: 120mW. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide (tr=3us TYP, tf=5us TYP). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 5us. Boîtier: SO-4. Boîtier (selon fiche technique): SO-4. Tr: 3us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vrms: 2500V

Optocoupleur. CTR: 50...400 %. Diode IF: 30mA. Courant IF Diode (crête): 0.5A. Puissance de la diode: 80mW. Tension de seuil de la diode: 1.2V. Courant de collecteur: 30mA. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 16. Distance entre connexions (pas): 7mm. Dissipation de puissance maxi: 120mW. RoHS: oui. Spec info: commutation rapide (tr=5us TYP, tf=7us TYP). Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 7us. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-16. Tr: 5us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.13V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vrms: 2500V

Optocoupleur. RoHS: non. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Type d'optocoupleur: optocoupleur, commutateur de signal. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: FET, commutateur. Tension d'isolation Uiso [kV]: 4 kV. Tension de sortie maxi (V): 60VAC/DC. Courant nominal d'entrée (mA): 10mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2ms. Délai de coupure tf [µsec.]: 0.5ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP6. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Type d'optocoupleur: optocoupleur, commutateur de signal. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: MOSFET. Tension d'isolation Uiso [kV]: 4 kV. Tension de sortie maxi (V): 60VAC/DC. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2ms. Délai de coupure tf [µsec.]: 0.5ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 6. Type d'optocoupleur: commutation de puissance. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: MOSFET. Tension d'isolation Uiso [kV]: 4 kV. Tension de sortie maxi (V): 60V. Courant nominal d'entrée (mA): 5..25mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2ms. Délai de coupure tf [µsec.]: 0.5ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C

Optocoupleur. RoHS: oui. Courant nominal d'entrée (mA): 10mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3us. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Date de production: soudure sur circuit imprimé. Sortie: sortie transistor. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 14us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Tr: 4.2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. VRRM: 5300V

Optocoupleur. CTR: 100...200 %. Diode IF: 60mA. Courant IF Diode (crête): 2.5A. Puissance de la diode: 0.1W. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Date de production: 2014/42. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 10.03mm. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Spec info: fréquence de coupure 250kHz. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 14us. Boîtier: SMD. Boîtier (selon fiche technique): SMD-4. Tr: 3us. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. VRRM: 5300V

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOP4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5.3 kV. Taux: 100 %. Tension de sortie maxi (V): 70V. Courant nominal d'entrée (mA): 10mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3us. Délai de coupure tf [µsec.]: 2.3us. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C

Optocoupleur. CTR: 40...80 %. Diode IF: 60mA. Courant IF Diode (crête): 2.5A. Puissance de la diode: 0.1W. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 100mA. Sortie: sortie transistor. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Spec info: fréquence de coupure 250kHz. Distance entre connexions (pas): 7.92mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf (type): 11us. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Tr: 3us. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. VRRM: 5300V

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP4. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5.3 kV. Taux: 100 %. Tension de sortie maxi (V): 70V. Courant nominal d'entrée (mA): 10mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3us. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C