Optocoupleurs

Optocoupleur. Sortie: sortie transistor avec base. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Température de fonctionnement: -40°C à +100°C. Vcbo: 70V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Nombre de connexions: 6. Spec info: isolation entrée-sortie, min

Optocoupleur. Sortie: sortie transistor avec base. Remarque: 1.5KV, Pd 250mW, Vceo 20V

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MINIFLAT-6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: TRIAC. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Courant nominal d'entrée (mA): 3mA. Tension de sortie maxi (V): 600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: optotriac à commutation par détection de passage par zéro (zero-crossing)

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: Numérique. Tension d'isolation Uiso [kV]: 2.5 kV. Courant nominal d'entrée (mA): 10mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 120ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 120ns. Tension de sortie maxi (V): TTL. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour transmission numérique

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: Numérique. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Courant nominal d'entrée (mA): 10mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 60 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 60 ns. Tension de sortie maxi (V): TTL. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +125°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour transmission numérique

Optocoupleur. RoHS: non. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-16. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 16. Nombre de circuits: 4. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: Transistor NPN Darlington. Tension d'isolation Uiso [kV]: 2.5 kV. Taux: 500 %. Courant nominal d'entrée (mA): 10mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 50us. Délai de coupure tf [µsec.]: 80us. Tension de sortie maxi (V): 300V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: quadruple optocoupleur pour transmission numérique

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 5. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: Transistor NPN Darlington. Tension d'isolation Uiso [kV]: 2.5 kV. Taux: 500 %. Courant nominal d'entrée (mA): 1mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 50us. Délai de coupure tf [µsec.]: 80us. Tension de sortie maxi (V): 300V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur, haute tension

Optocoupleur. CTR: 100...600 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Tension de seuil de la diode: 1.15V. Fonction: GaAs IRED & Photo-Triac. Date de production: 1506. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 1A. Sortie: sortie triac. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 3us. Boîtier: SO-4. Boîtier (selon fiche technique): 11-4C1. Tr: 2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 2500V. Nombre de connexions: 4

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MINIFLAT-6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: TRIAC. Tension d'isolation Uiso [kV]: 2.5 kV. Courant nominal d'entrée (mA): 3mA. Tension de sortie maxi (V): 600V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: optotriac à commutation par détection de passage par zéro (zero-crossing)

Optocoupleur. CTR: 100...600 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Tension de seuil de la diode: 1.15V. Fonction: GaAs Ired & Photo-Transistor. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: P181G. Sortie: sortie transistor. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 3us. Boîtier: SO-4. Boîtier (selon fiche technique): 11-4C1. Tr: 2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Nombre de connexions: 4. Spec info: Entrée AC-DC, adaptateur secteur, carte d'interface E/S

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MINIFLAT-4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Taux: 200 %. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3us. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Tension de sortie maxi (V): 80V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MINIFLAT-4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Taux: 50 %. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3us. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Tension de sortie maxi (V): 80V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MINIFLAT-4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Taux: 100 %. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3us. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Tension de sortie maxi (V): 80V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MINIFLAT-4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Taux: 200 %. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3us. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Tension de sortie maxi (V): 80V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SMD-4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Taux: 100 %. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 3us. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Tension de sortie maxi (V): 80V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +100°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SO6. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Taux: 100 %. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 9us. Délai de coupure tf [µsec.]: 9us. Tension de sortie maxi (V): 80V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +110°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MINIFLAT-4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: transistor NPN. Tension d'isolation Uiso [kV]: 3.75 kV. Taux: 50 %. Courant nominal d'entrée (mA): 5mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 9us. Délai de coupure tf [µsec.]: 9us. Tension de sortie maxi (V): 80V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +110°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général

Optocoupleur. CTR: 100...400 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Fonction: GaAs Ired & Photo-Transistor. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: P185GB. Sortie: sortie transistor. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 9us. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): 11-4M1S. Tr: 5us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Nombre de connexions: 4

Optocoupleur. CTR: 100...400 %. Diode IF: 50mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Fonction: GaAs Ired & Photo-Transistor. Courant de collecteur: 50mA. Ic(puls): 1A. Marquage sur le boîtier: P185GB. Sortie: sortie transistor. Dissipation de puissance maxi: 150mW. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Tf (type): 9us. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): 11-4M1S. Tr: 5us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. VECO: 7V. VRRM: 3750V. Nombre de connexions: 4

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: MINIFLAT-4. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: ligne de photodiode. Tension d'isolation Uiso [kV]: 2.5 kV. Courant nominal d'entrée (mA): 20mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 0.2ms. Délai de coupure tf [µsec.]: 3ms. Plage de température de fonctionnement min (°C): -25°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général

Optocoupleur. Sortie: niveau logique. Remarque: 2.5 kV. Remarque: MOS GATE DRIVER

Optocoupleur. RoHS: oui. Famille de composants: Optocoupleur. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: DIP8. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 8. Nombre de circuits: 1. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type de sortie: Numérique. Tension d'isolation Uiso [kV]: 2.5 kV. Courant nominal d'entrée (mA): 1.6mA. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf [µsec.]: 20 ns. Tension de sortie maxi (V): 20V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -40°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +85°C. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour transmission numérique

ROHS: Oui. Boîtier: DIP8. Montage/installation: THT. Courant de collecteur Ic [A]: 1.5A. Nombre de canaux: 1. Type d'élément semi-conducteur: optocoupleur. Type de sortie: circuit de comande de transistors IGBT

Optocoupleur. Diode IF: 20mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Tension de seuil de la diode: 1.6...1.8V. Fréquence: max. Marquage sur le boîtier: TLP250F. Sortie: niveau logique. Courant de sortie (maxi): min. Nombre de connexions: 8. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 7.85...8.8mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 20...30V. VRRM: 2500V. Fonction: Onduleur pour climatiseur, IGBT et pilote de grille MOSFET de puissance. Spec info: GaAIAs Ired & Photo-IC

Optocoupleur. Diode IF: 20mA. Courant IF Diode (crête): 1A. Puissance de la diode: 40mW. Tension de seuil de la diode: 1.6...1.8V. Fréquence: max. Marquage sur le boîtier: TLP250H (F). Sortie: niveau logique. Courant de sortie (maxi): 2.5A. Nombre de connexions: 8. Distance entre connexions (pas): 2.54mm. Dissipation de puissance maxi: 260mW. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 7.85...8.8mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-8. VCC: 35V. VRRM: 3750V. Fonction: Onduleur pour climatiseur, IGBT et pilote de grille MOSFET de puissance. Spec info: GaAIAs Ired & Photo-IC