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Paire de transistors MOSFET N-P

Paire de transistors MOSFET N-P

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STS5DNF20V

STS5DNF20V

Transistor MOSFET. Fonction: STripFET™ II Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installat...
STS5DNF20V
Transistor MOSFET. Fonction: STripFET™ II Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 20V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
STS5DNF20V
Transistor MOSFET. Fonction: STripFET™ II Power MOSFET. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 2xN-CH 20V. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
1.21€ TTC
(1.00€ HT)
1.21€
Quantité en stock : 40
STU309D

STU309D

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: N&P PowerTrench MOSFET. Dissipation de puissance ma...
STU309D
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: N&P PowerTrench MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Remarque: double transistor à effet de champ
STU309D
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Fonction: N&P PowerTrench MOSFET. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: double transistor à effet de champ. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Température de fonctionnement: -55...+175°C. Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4. Remarque: double transistor à effet de champ
Lot de 1
2.72€ TTC
(2.25€ HT)
2.72€
Quantité en stock : 11
STU407D

STU407D

Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/instal...
STU407D
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4
STU407D
Transistor MOSFET. Type de canal: N-P. Dissipation de puissance maxi: 11W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: N&P PowerTrench MOSFET. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252-4 ( DPAK ) ( SOT428 ). Quantité par boîtier: 2. Nombre de connexions: 4
Lot de 1
4.67€ TTC
(3.86€ HT)
4.67€
Quantité en stock : 2
TPC8303

TPC8303

Transistor MOSFET. Fonction: SAMSUNG 0505-001417. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: com...
TPC8303
Transistor MOSFET. Fonction: SAMSUNG 0505-001417. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
TPC8303
Transistor MOSFET. Fonction: SAMSUNG 0505-001417. Nombre de connexions: 8. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: SMD SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Quantité par boîtier: 2
Lot de 1
7.43€ TTC
(6.14€ HT)
7.43€
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