Ponts de redressement à diodes

Pont redresseur, 600V, 20A. VRRM: 600V. IF(AV): 20A. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Triphasé: 0. IFSM: 230A. Marquage sur le boîtier: +~~-. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 10x7.5x7.5mm. Dimensions: 30x20x3.6mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SIP / SIL. Boîtier (selon fiche technique): 30x20x3.6mm. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Pont redresseur, 600V, 3A. VRRM: 600V. IF(AV): 3A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Triphasé: 0. IFSM: 50A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: BR306, KBPC106. Dimensions des connexions: diamètre 0.9mm. Distance entre connexions (pas): 10.8x10.8mm. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 15.2x15.2mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Quantité par boîtier: 4. Nombre de connexions: 4

Pont redresseur, 600V, 4A. VRRM: 600V. IF(AV): 4A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 80A. Distance entre connexions (pas): 4.5mm. Dimensions: 22x18.5x3.5mm. Nombre de connexions: 4. Spec info: IFSM--80Ap (t=8.3ms)

Pont redresseur, 4A, 100V, 135A. Courant nominal [A]: 4A. Tension de crête Urrm [V]: 100V. Courant de crête Ifsm [A]: 135A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SIL (21.5x3.4x18.2mm). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 800V, 1.5A. VRRM: 800V. IF(AV): 1.5A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Single Phase 1.5 AMPS. IFSM: 50A. Dimensions des connexions: distance entre pattes 5.6x5.6mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55°C...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Quantité par boîtier: 4. Nombre de connexions: 4. Remarque: diamètre 10mm. Spec info: IFSM--50A (50-60Hz, t=8.3mS)

Pont redresseur, 2.3A/1.5A, 160V, 50A. Courant nominal [A]: 2.3A/1.5A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 50A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SIL (19x3.5x10mm). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 0.9V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 160V, 1.5A. VRRM: 160V. IF(AV): 1.5A. Cj: 1300pF. Structure diélectrique: Pont de diodes. Trr Diode (Min.): SIL (19x3.5x10mm). Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 10A. IRM (max): 5uA. IRM (min): 0.9V. Distance entre connexions (pas): 5mm. Dimensions: 20x10x3.5mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SIP / SIL. Température de fonctionnement: -50...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.5V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Quantité par boîtier: 4. Nombre de connexions: 4. Spec info: IF(AV) 1.5A, 2.3A (avec dissipateur thermique)

ROHS: Oui. Boîtier: DSIL4

Pont redresseur, 80V, 2.2A (ou 3.7A si monté sur dissipateur thermique). VRRM: 80V. IF(AV): 2.2A (ou 3.7A si monté sur dissipateur thermique). Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 150A (50Hz 10ms). Dimensions des connexions: 10x7.5x7.5mm. Dimensions: 32x17x5.6mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SIP / SIL. Nombre de connexions: 4

Pont redresseur, 5A/3.3A, 160V, 150A. Courant nominal [A]: 5A/3.3A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 150A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SIL (32x56x16mm). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 7A/4A, 160V, 250A. Courant nominal [A]: 7A/4A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 250A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: SIL (32x56x16mm). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.05V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur. Diamètre: 10mm. RoHS: oui

Pont redresseur, 1A, 160V, 40A. Courant nominal [A]: 1A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 40A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: 8.3x6.4x3.1mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 2A/1.5A, 160V, 50A. Courant nominal [A]: 2A/1.5A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 50A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: rond. Diamètre 9mm. Hauteur 5.1mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 1A, 160V, 45A. Courant nominal [A]: 1A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 45A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 8.3x6.4x2.5mm. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 1.1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 2.3A, 160V, 65A. Courant nominal [A]: 2.3A. Tension de crête Urrm [V]: 160V. Courant de crête Ifsm [A]: 65A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 8.3x6.4x2.5mm. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 0.95V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 200V, 1.5A. VRRM: 200V. IF(AV): 1.5A. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 50A. Remarque: diamètre 10mm. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 4. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1V. Tension de seuil Vf (min): 1V. Spec info: IFSM--50App t=8.3ms

Pont redresseur, 1000V, 3A. VRRM: 1000V. IF(AV): 3A. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 50A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Equivalences: KIBPC110. Dimensions des connexions: diamètre 0.9mm, 10.8x10.8mm. Nombre de connexions: 4. RoHS: oui. Distance entre connexions (pas): 15.2x15.2mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V

Pont redresseur, 200V, 3.2A. VRRM: 200V. IF(AV): 3.2A. Matériau semi-conducteur: silicium. Spec info: GI-Br

Pont redresseur, 1A, 100V, 40A. Courant nominal [A]: 1A. Tension de crête Urrm [V]: 100V. Courant de crête Ifsm [A]: 40A. RoHS: oui. Famille de composants: Pont de diodes (Graetz). Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: 8.3x6.4x2.5mm. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 4. Tension de seuil Uf [V]: 0.79V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -50°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Pont redresseur, 600V, 25A. VRRM: 600V. IF(AV): 25A. Fonction: Pont redresseur. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Marquage sur le boîtier: D25XB60. Distance entre connexions (pas): 10x7.5x7.5mm. Dimensions: 30x20x4.6mm. RoHS: oui. Nombre de connexions: 4. Spec info: pont de redressement en ligne (SIL). Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 350A

Pont redresseur. Structure diélectrique: Pont de diodes. Nombre de connexions: 4. Dimensions: 24x15mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé

Pont redresseur, 600V, 6A. VRRM: 600V. IF(AV): 6A. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Pont redresseur. IFSM: 170A. Marquage sur le boîtier: D5SB 60. Distance entre connexions (pas): 10x7.5x7.5mm. Température: +150°C. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: SIP / SIL. Boîtier (selon fiche technique): 30x20x4.6mm ( SIL Bridge ). Tension de seuil Vf (max): 1.05V. Tension de seuil Vf (min): 1.05V. Quantité par boîtier: 4. Nombre de connexions: 4. Spec info: IFSM--170Ap

Pont redresseur, 100V, 1A. VRRM: 100V. IF(AV): 1A. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. Triphasé: 0. IFSM: 30A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 5.08mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap

Pont redresseur, 400V, 1.5A. VRRM: 400V. IF(AV): 1.5A. Cj: 25pF. Quantité par boîtier: 4. Structure diélectrique: Pont de diodes. Matériau semi-conducteur: silicium. IFSM: 50A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 10uA. Nombre de connexions: 4. Distance entre connexions (pas): 5.08mm. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DIP. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: IFSM--50Ap