Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 9 | 0.29€ | 0.35€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.27€ | 0.33€ |
50 - 99 | 0.26€ | 0.31€ |
100 - 249 | 0.25€ | 0.30€ |
250 - 499 | 0.25€ | 0.30€ |
500 - 2284 | 0.25€ | 0.30€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 9 | 0.29€ | 0.35€ |
10 - 24 | 0.27€ | 0.33€ |
25 - 49 | 0.27€ | 0.33€ |
50 - 99 | 0.26€ | 0.31€ |
100 - 249 | 0.25€ | 0.30€ |
250 - 499 | 0.25€ | 0.30€ |
500 - 2284 | 0.25€ | 0.30€ |
Diode, 6A, 150A, R-6, R-6 (9.1x9.1mm), 600V - SF68G. Diode, 6A, 150A, R-6, R-6 (9.1x9.1mm), 600V. IF(AV): 6A. IFSM: 150A. Boîtier: R-6. Boîtier (selon fiche technique): R-6 (9.1x9.1mm). VRRM: 600V. Cj: 80pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 35 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: diode de redressement ultra rapide. IRM (max): 150uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Spec info: Ifsm 150Ap/8.3ms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. Produit d'origine constructeur Taiwan Semicon. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 15:25.
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