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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor SPP04N60C3

Transistor SPP04N60C3
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Transistor SPP04N60C3. Transistor. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra Low Gate Charge High Peak Current Capability. Id(imp): 13.5A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 85m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool MOS™ Power Transistor. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220-3-1. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Capacité dv/dt exceptionnelle. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 09:25.

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Transistor. C (in): 490pF. C (out): 160pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 300 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated. Id(imp): 13.5A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 04N60C3. Dissipation de puissance maxi: 50W. Résistance passante Rds On: 0.85 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 58.5 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: non
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