Transistor STP10NK80Z

Transistor STP10NK80Z. Transistor. C (in): 2180pF. C (out): 205pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 645 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P10NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 0.78 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 65 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: SuperMESH ™Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: protection par diode Zéner. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 19:25.