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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V - STP3NA60

Transistor canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V - STP3NA60
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Transistor canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V - STP3NA60. Transistor canal N, 1.8A, 2.9A, 2.9A, 4 Ohms, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 1.8A. Id (T=25°C): 2.9A. Idss (maxi): 2.9A. Résistance passante Rds On: 4 Ohms. Boîtier: TO-220. Tension Vds(max): 600V. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: V-MOS. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 16:25.

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Transistor canal N, 2.1A, 3.3A, 50uA, 3.3 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=100°C): 2.1A. Id (T=25°C): 3.3A. Idss (maxi): 50uA. Résistance passante Rds On: 3.3 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 400pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Protection G-S: non. Id(imp): 13.2A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NB60. Dissipation de puissance maxi: 80W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 11 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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