Transistor STP60NF06L

Transistor STP60NF06L. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: P60NF06L. Tension drain-source Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 60A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.014 Ohms @ 60A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 35 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 55 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 2000pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: STripFET II POWER MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 60V. Tension grille/source Vgs: 15V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Boîtier (norme JEDEC): 1. Spec info: faible charge de porte, VGS(th) 1...2.5V. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 23:25.