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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V - STW13NK60Z

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Transistor canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V - STW13NK60Z. Transistor canal N, TO-247, 8A, 13A, 50mA, 0.48 Ohms, TO-247, 600V, 0.55 Ohms, 600V. Boîtier: TO-247. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 13A. Idss (maxi): 50mA. Résistance passante Rds On: 0.48 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Tension drain - source (Vds): 600V. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 570 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: HIGH Current, HIGH Speed Switching. Id(imp): 40A. Idss (min): 1mA. Marquage sur le boîtier: W13NK60Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 61 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Courant de drain maxi: 13A. Puissance: 150W. Nombre de connexions: 3. Spec info: 'EXTREMELY HIGH dv/dt CAPABILITY'. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 07:25.

Documentation technique

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