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Transistor PNP, 6A, TO-220, TO-220, 100V - TIP42C

Transistor PNP, 6A, TO-220, TO-220, 100V - TIP42C
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5 - 9 0.73€ 0.88€
10 - 24 0.71€ 0.86€
25 - 49 0.69€ 0.83€
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Transistor PNP, 6A, TO-220, TO-220, 100V - TIP42C. Transistor PNP, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Fonction: Transistors de puissance complémentaires. Gain hFE maxi: 75. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP41C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 14:25.

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Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: transistor de puissance PNP. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD244C. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: 15. Dissipation de puissance maxi: 65W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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Transistor PNP, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Courant de collecteur: 6A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 3 MHz. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 15. Ic(puls): 10A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD243C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V
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