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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SB1185

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Transistor 2SB1185. Transistor. C (out): 50pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 70 MHz. Fonction: NF-E-L. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 3A. Dissipation de puissance maxi: 25W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial planar type'. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): SC-67. Type de transistor: PNP. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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