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Transistor 2SD110

Transistor 2SD110
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Transistor 2SD110. Transistor. C (out): 200pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 1 MHz. Courant de collecteur: 10A. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 100W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-3 ( TO-204 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3. Type de transistor: NPN. Vcbo: 130V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 110V. Vebo: 10V. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.

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