Transistor 2SD1623S

Transistor 2SD1623S. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Gain hFE maxi: 280. Gain hFE mini: 140. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Remarque: transistor complémentaire (paire) 2SB1123S. Marquage sur le boîtier: DF. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Silicon Transistor'. Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Vebo: 6V. Fonction: commutation à courant élevé, faible tension de saturation. Spec info: sérigraphie/code CMS DF. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 23:25.