Transistor 2SD1664Q

Transistor 2SD1664Q. Transistor. Conditionnement: rouleau. Unité de conditionnement: 1000. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: transistor bipolaire. Gain hFE maxi: 270. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: DAQ. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial planar type'. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Vebo: 5V. Spec info: sérigraphie/code CMS DAQ. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 06:25.