Transistor 2SD2375

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Transistor 2SD2375. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50MHz. Fonction: Amplification de puissance avec courant direct élevé. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 2.37k Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Type de transistor: NPN. Vcbo: 80V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 6V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 06:25.

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