Transistor 2SJ512

Transistor 2SJ512. Transistor. C (in): 800pF. C (out): 250pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 205 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance'. Id(imp): 20A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 20V. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.