Transistor 2SJ584

Transistor 2SJ584. Transistor. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Type de canal: P. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 100uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 25W. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 250V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 10:25.