Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 1 | 9.63€ | 11.65€ |
2 - 2 | 9.14€ | 11.06€ |
3 - 4 | 8.66€ | 10.48€ |
5 - 9 | 8.18€ | 9.90€ |
10 - 19 | 7.99€ | 9.67€ |
20 - 29 | 7.80€ | 9.44€ |
30 - 56 | 7.51€ | 9.09€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 9.63€ | 11.65€ |
2 - 2 | 9.14€ | 11.06€ |
3 - 4 | 8.66€ | 10.48€ |
5 - 9 | 8.18€ | 9.90€ |
10 - 19 | 7.99€ | 9.67€ |
20 - 29 | 7.80€ | 9.44€ |
30 - 56 | 7.51€ | 9.09€ |
Transistor 2SK1529. Transistor. C (in): 700pF. C (out): 150pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Application d'amplificateur haute puissance. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 1mA. Marquage sur le boîtier: K1529. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 120W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Type MOS à canal N en silicium à effet de champ. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 180V. Tension grille/source Vgs: 20V. Tension grille/source VGS (off) max.: 2.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 0.8V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SJ200. Protection drain-source: non. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 13:25.
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