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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SK2605

Transistor 2SK2605
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Transistor 2SK2605. Transistor. C (in): 1800pF. C (out): 105pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Speed, H.V. Id(imp): 15A. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 45W. Résistance passante Rds On: 1.9 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 80 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIII). Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 13:25.

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Transistor. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 23.2A. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P6NK90ZFP. Dissipation de puissance maxi: 30W. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 45 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Transistor MOSFET de puissance protégé par Zener. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui
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