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Transistor 2SK2850

Transistor 2SK2850
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5 - 9 7.97€ 9.64€
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20 - 29 7.60€ 9.20€
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Transistor 2SK2850. Transistor. C (in): 950pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 125W. Résistance passante Rds On: 1.87 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Température de fonctionnement: -...+150°. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.

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Transistor. C (in): 1350pF. C (out): 130pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 840 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: protégé avec diode zéner. Id(imp): 23.2A. Id (T=100°C): 3.65A. Id (T=25°C): 5.8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: W7NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 140W. Résistance passante Rds On: 1.56 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 20 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui
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