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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SK3679

Transistor 2SK3679
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2 - 2 5.66€ 6.85€
3 - 4 5.36€ 6.49€
5 - 9 5.06€ 6.12€
10 - 19 4.94€ 5.98€
20 - 29 4.82€ 5.83€
30 - 47 4.65€ 5.63€
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Transistor 2SK3679. Transistor. C (in): 1100pF. C (out): 140pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 3.2us. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 36A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 25uA. Marquage sur le boîtier: K3679. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 95W. Résistance passante Rds On: 1.22 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 16:25.

Documentation technique

Produits équivalents :

Quantité en stock : 72
FQPF9N90C

FQPF9N90C

Transistor. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Di...
FQPF9N90C
Transistor. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 40nC, faible Crss 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protection G-S: non
FQPF9N90C
Transistor. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 40nC, faible Crss 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protection G-S: non
Lot de 1
4.33€ TTC
(3.58€ HT)
4.33€
Quantité en stock : 24
STP9NK90Z

STP9NK90Z

Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner....
STP9NK90Z
Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui
STP9NK90Z
Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 160W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection G-S: oui
Lot de 1
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Quantité en stock : 45
STF9NK90Z

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Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de tran...
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Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui
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Transistor. C (in): 2115pF. C (out): 190pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 950 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: circuits de commutation. Id(imp): 32A. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: F9NK90Z. Dissipation de puissance maxi: 40W. Résistance passante Rds On: 1.1 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 22 ns. Technologie: Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220FP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 900V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui
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