Transistor AOD9N50

Transistor AOD9N50. Transistor. C (in): 962pF. C (out): 98pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 332ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. Id (T=100°C): 5.7A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 178W. Résistance passante Rds On: 0.71 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 55 ns. Td(on): 24 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): D-PAK TO-252AA. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 500V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 19:25.