Transistor AON6512

Transistor AON6512. Transistor. C (in): 3430pF. C (out): 1327pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 22 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 340A. Id (T=100°C): 115A. Id (T=25°C): 150A. Idss (maxi): 5uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 83W. Résistance passante Rds On: 1.9m Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 33.8 ns. Td(on): 7.5 ns. Technologie: 'Latest Trench Power AlphaMOS technology'. Boîtier: PowerPAK SO-8. Boîtier (selon fiche technique): PowerSO-8 ( DFN5X6 ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Fonction: Idsm--54A/25°C, Idsm--43A/70°C. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 19:25.