Quantité (Lot de 10) | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 0.61€ | 0.74€ |
5 - 8 | 0.58€ | 0.70€ |
Quantité (Lot de 10) | U.P | |
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1 - 4 | 0.61€ | 0.74€ |
5 - 8 | 0.58€ | 0.70€ |
Transistor BC859B. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 475. Gain hFE mini: 220. Courant de collecteur: 100mA. Ic(puls): 200mA. Marquage sur le boîtier: 3F. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Spec info: SMD 3F. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 06:25.
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