Transistor BCR562E6327HTSA1

Transistor BCR562E6327HTSA1. Transistor. Résistance B: 4.7k Ohms. Résistance BE: 4.7k Ohms. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Transistor numérique au silicium PNP. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 500mA. Marquage sur le boîtier: XUs. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.33W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 50V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 08:25.