Transistor BFG67

Transistor BFG67. Transistor. C (in): 1.3pF. C (out): 0.7pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 8GHz. Fonction: UHF wideband transistor. Gain hFE maxi: 100. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 50mA. Marquage sur le boîtier: V3%. Dissipation de puissance maxi: 300mW (total 380mW). RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: SOT-143. Boîtier (selon fiche technique): SOT-143B. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 10V. Vebo: 2.5V. Nombre de connexions: 4. Spec info: sérigraphie/code CMS V3. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 16/01/2025, 20:25.