Transistor BSN20-215

Transistor BSN20-215. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-23. Boîtier (norme JEDEC): TO-236AB. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSN20. Tension drain-source Uds [V]: 50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.173A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 15 Ohms @ 0.1A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3.5V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 25pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.83W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.