Transistor BSP89H6327

Transistor BSP89H6327. Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé (CMS). Boîtier: SOT-223. Configuration: composant monté en surface (CMS). Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BSP89. Tension drain-source Uds [V]: 240V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.35A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 6 Ohms @ 0.35A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 1.8V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 6 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 24 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 140pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 1.8W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 00:25.