Transistor BUV26

Transistor BUV26. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Conçu pour les applications à grande vitesse. Courant de collecteur: 20A. Ic(puls): 30A. Dissipation de puissance maxi: 85W. RoHS: oui. Tf(max): 150 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220 CASE 221A. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+175°C. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 190V. Vebo: 7V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 17/01/2025, 23:25.