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Transistor canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458

Transistor canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458
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Transistor canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V - 2N5458. Transistor canal N, 9mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 4.5pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: Uni sym. Protection G-S: non. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.625W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V. Produit d'origine constructeur Fairchild. Quantité en stock actualisée le 05/06/2025, 18:25.

Documentation technique

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Transistor canal N, 25mA, 15mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 25mA. Idss (maxi): 15mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 4pF. C (out): 1.6pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: HF-VHF. Protection G-S: non. Idss (min): 6mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300mW. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 8V. Tension grille/source VGS (off) max.: 3.8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1.6V
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Transistor canal N, 9mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 25V. Idss (maxi): 9mA. Boîtier: SOT-23 ( TO-236 ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-23 ( TO236 ). Tension Vds(max): 25V. C (in): 4.5pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: JFET. Fonction: Uni sym. Protection G-S: non. Idss (min): 2mA. IGF: 10mA. Remarque: sérigraphie/code CMS 61S. Marquage sur le boîtier: 61 S. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 2mA. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 3.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 7V. Tension grille/source VGS (off) min.: 1V
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Transistor canal N, 16mA, TO-92, TO-92, 25V. Idss (maxi): 16mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 25V. C (in): 2250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: non. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 53 ns. Type de transistor: FET. Fonction: Uni sym. Protection G-S: non. Idss (min): 4mA. IGF: 10mA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 4mA. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor JFET pour usage général. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 4.5V. Tension grille/source VGS (off) max.: 8V. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V
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