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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640

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20 - 29 7.62€ 9.22€
30+ 7.35€ 8.89€
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Transistor canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V - 2SK2640. Transistor canal N, 10A, 10A, 200uA, 0.73 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 500V. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 0.73 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 500V. C (in): 950pF. C (out): 180pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 450 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Commutation à haute vitesse. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: K2640. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 70 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: FAP-IIS Series MOS-FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3.5V. Produit d'origine constructeur Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 07/06/2025, 06:25.

Documentation technique

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STF11NM60ND
Transistor canal N, 6.3A, 10A, 100uA, 0.37 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=100°C): 6.3A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.37 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 850pF. C (out): 44pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 130 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: LOW INPUT CAPACITANCE, RESISTANCE AND GATE CHARGE. Protection G-S: non. Id(imp): 40A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: 11NM60ND. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 25W. RoHS: oui. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 50 ns. Td(on): 16 ns. Technologie: MDmesh II POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V
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