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Transistor canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4710

Transistor canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4710
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Quantité HT TTC
1 - 4 1.43€ 1.73€
5 - 9 1.35€ 1.63€
10 - 24 1.28€ 1.55€
25 - 49 1.21€ 1.46€
50 - 72 1.18€ 1.43€
Quantité U.P
1 - 4 1.43€ 1.73€
5 - 9 1.35€ 1.63€
10 - 24 1.28€ 1.55€
25 - 49 1.21€ 1.46€
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Transistor canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v - AO4710. Transistor canal N, 10A, 12.7A, 20mA, 0.0098 Ohms, SO, SO-8, 30 v. Id (T=100°C): 10A. Id (T=25°C): 12.7A. Idss (maxi): 20mA. Résistance passante Rds On: 0.0098 Ohms. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Tension Vds(max): 30 v. C (in): 1980pF. C (out): 317pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 11.2 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60A. Idss (min): 0.02mA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 3.1W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 27 ns. Td(on): 5.5 ns. Technologie: 'Enhancement Mode Field Effect (SRFET)'. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 12V. Vgs(th) max.: 2.3V. Vgs(th) min.: 1.5V. Quantité par boîtier: 1. Fonction: FET dans SMPS, commutation de charge. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 21/04/2025, 12:25.

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