Transistor canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF9N90C

Transistor canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V - FQPF9N90C. Transistor canal N, 2.8A, 8A, 10uA, 1.12 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=100°C): 2.8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 1.12 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2100pF. C (out): 175pF. Type de canal: N. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 32A. Idss (min): 10uA. Dissipation de puissance maxi: 68W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 100 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: DMOS, QFET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: Commutation rapide, faible charge de grille 40nC, faible Crss 14pF. Spec info: Zero Gate Voltage Drain Current. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 01:25.