Transistor canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322

Transistor canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V - GT30J322. Transistor canal N, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P( GCE ), 600V. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P( GCE ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Diode CE: oui. Type de canal: N. Fonction: 'Current Resonance Inverter Switching'. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 30A. Ic(puls): 100A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Spec info: transistor bipolaire à porte isolée (IGBT). Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 400 ns. Td(on): 30 ns. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.1V. Produit d'origine constructeur Toshiba. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 13:25.