Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW30N120R2

Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V - IHW30N120R2. Transistor canal N, 30A, TO-247, TO-247AC, 1200V. Ic(T=100°C): 30A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247AC. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. C (in): 2589pF. C (out): 77pF. Diode CE: oui. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: Cuisson par induction, applications de commutation. Diode au Germanium: non. Courant de collecteur: 60A. Ic(puls): 90A. Marquage sur le boîtier: H30R1202. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 390W. RoHS: oui. Spec info: Reverse conducting IGBT with monolithic body diode. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 792 ns. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.65V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1.8V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.1V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 6.4V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 16:25.