Transistor canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324

Transistor canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V - IRF1324. Transistor canal N, 249A, 353A, 250uA, 1.2M Ohms, TO-220, TO-220AB, 24V. Id (T=100°C): 249A. Id (T=25°C): 353A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.2M Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 24V. C (in): 5790pF. C (out): 3440pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 46 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS, High Speed Power Sw.. Id(imp): 1412A. Idss (min): 20uA. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 300W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 83 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 12:25.