Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A - IRF640NPBF

Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A - IRF640NPBF. Transistor canal N, soudure sur circuit imprimé, TO-220AB, 200V, 18A. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Tension drain-source Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 18A. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: IRF640NPBF. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.15 Ohms @ 11A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 4 v. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 23 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 1160pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 150W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 23:25.